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實(shí)現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙?chǔ)能系統(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長(zhǎng)。2023年,全球家用儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)銷售額達(dá)到了87.4億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到498.6億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)經(jīng)過(guò)了一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)的狂歡后,現(xiàn)在也迎來(lái)了穩(wěn)定增長(zhǎng)期,從未來(lái)看,預(yù)計(jì)在2027年便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)將達(dá)到900億元;AI Server市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),帶來(lái)了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求,現(xiàn)在單機(jī)3KW的Power也成為了標(biāo)配。對(duì)于
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貿(mào)澤開(kāi)售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開(kāi)啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能(AI)處理器對(duì)功率的要求日益提高,服務(wù)器電源(PSU)必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn),促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?,F(xiàn)在,英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù),推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下,電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢(shì)。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  • 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET,針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用(包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領(lǐng)域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等)
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求,而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì),通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

  • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng),可靠性提高。產(chǎn)品型號(hào):???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開(kāi)關(guān)損
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英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm?器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H?碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用,而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT?模塊,其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。增強(qiáng)型
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英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車低碳化

  • 【2023 年 5 月 12 日,德國(guó)慕尼黑訊】為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo),交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛,比如節(jié)能的電氣化列車。然而,列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件,需要頻繁加速和制動(dòng),且要在相當(dāng)長(zhǎng)的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此,它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)為了滿足上述需求,在其 CoolSiC? 功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品:FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
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英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC?功率器件

  • 【2022年10月26日,德國(guó)慕尼黑訊】當(dāng)前的能源危機(jī)充分表明,全球迫切需要尋找替代能源來(lái)構(gòu)建氣候友好型的能源供應(yīng)能力。近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司(Bloom Energy)選中,用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器(Bloom’s Energy Server)以及布魯姆電解系統(tǒng)(Bloom Electrolyzer)中的功率變換。??布魯姆能源
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英飛凌CoolSiC?器件為臺(tái)達(dá)雙向逆變器提供助力,讓電動(dòng)汽車化身家庭應(yīng)急備用電源

  • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用,使得臺(tái)達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標(biāo)邁出了一大步。臺(tái)達(dá)成功開(kāi)發(fā)出了雙向逆變器,即一個(gè)由太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(EV)充電組成的三合一混合系統(tǒng),它能夠?qū)㈦妱?dòng)汽車作為家庭應(yīng)急備用電源。 這款雙向逆變器可用于為電動(dòng)汽車(EV)和家用電池充電,還能作為意外停電時(shí)的備用電源,以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該雙向逆變器搭
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碳化硅發(fā)展勢(shì)頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王? 瑩? (《電子產(chǎn)品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世 界訪問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市 場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)模 式
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